射頻同軸連接器檢驗(yàn)方法主要有兩種，一種是接觸電阻的檢測(cè)，另一種是絕緣電阻的檢驗(yàn)，只要利用這兩種方法，便可滿(mǎn)足大部分射頻連接器的檢驗(yàn)需求。下面連接器網(wǎng)工程實(shí)施將會(huì)為您詳細(xì)介紹一下射頻同軸連接器檢驗(yàn)的知識(shí)。

其實(shí)這個(gè)問(wèn)題看起來(lái)簡(jiǎn)單幾個(gè)字，其實(shí)回答起來(lái)不是件簡(jiǎn)單的事。對(duì)于如何檢驗(yàn)這個(gè)問(wèn)題首先要從連接器的工作幾個(gè)重要因素來(lái)進(jìn)行檢驗(yàn)。我們說(shuō)不論是高頻電連接器，還是低頻電連接器，接觸電阻、絕緣電阻和介質(zhì)耐壓(又稱(chēng)抗電強(qiáng)度)都是保證電連接器能正?？煽康毓ぷ鞯淖罨镜碾姎鈪?shù)。

首先是接觸電阻的檢測(cè)

通過(guò)在顯微鏡下觀察連接器接觸件的表面我們發(fā)現(xiàn)：盡管鍍金層十分光滑，則仍能觀察到5-10微米的凸起部分。會(huì)看到插合的一對(duì)接觸件的接觸，并不是整個(gè)接觸面的接觸，而是散布在接觸面上一些點(diǎn)的接觸。實(shí)際接觸面必然小于理論接觸面。根據(jù)表面光滑程度及接觸壓力大小，兩者差距有的可達(dá)幾千倍。實(shí)際接觸面可分為兩部分;一是真正金屬與金屬直接接觸部分。即金屬間無(wú)過(guò)渡電阻的接觸微點(diǎn)，亦稱(chēng)接觸斑點(diǎn)，它是由接觸壓力或熱作用破壞界面膜后形成的。這部分約占實(shí)際接觸面積的5-10%。二是通過(guò)接觸界面污染薄膜后相互接觸的部分。

綜上所述，真正接觸電阻應(yīng)由以下幾部分組成;

1) 集中電阻

電流通過(guò)實(shí)際接觸面時(shí)，由于電流線(xiàn)收縮(或稱(chēng)集中)顯示出來(lái)的電阻。將其稱(chēng)為集中電阻或收縮電阻。

2) 膜層電阻

由于接觸表面膜層及其他污染物所構(gòu)成的膜層電阻。從接觸表面狀態(tài)分析;表面污染膜可分為較堅(jiān)實(shí)的薄膜層和較松散的雜質(zhì)污染層。故確切地說(shuō)，也可把膜層電阻稱(chēng)為界面電阻。

3) 導(dǎo)體電阻

實(shí)際測(cè)量電連接器接觸件的接觸電阻時(shí)，都是在接點(diǎn)引出端進(jìn)行的，故實(shí)際測(cè)得的接觸電阻還包含接觸表面以外接觸件和引出導(dǎo)線(xiàn)本身的導(dǎo)體電阻。導(dǎo)體電阻主要取決于金屬材料本身的導(dǎo)電性能，它與周?chē)h(huán)境溫度的關(guān)系可用溫度系數(shù)來(lái)表征。

在實(shí)際測(cè)量接觸電阻時(shí)，常使用按開(kāi)爾文電橋四端子法原理設(shè)計(jì)的接觸電阻測(cè)試儀(毫歐計(jì))，其專(zhuān)用夾具夾在被測(cè)接觸件端接部位兩端，故實(shí)際測(cè)量的總接觸電阻R由以下三部分組成，可由下式表示：

R= RC + Rf + Rp,式中：RC—集中電阻;Rf—膜層電阻;Rp—導(dǎo)體電阻。

接觸電阻檢驗(yàn)?zāi)康氖谴_定電流流經(jīng)接觸件的接觸表面的電觸點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的電阻。如果有大電流通過(guò)高阻觸點(diǎn)時(shí)，就可能產(chǎn)生過(guò)分的能量消耗，并使觸點(diǎn)產(chǎn)生危險(xiǎn)的過(guò)熱現(xiàn)象。在很多應(yīng)用中要求接觸電阻低且穩(wěn)定，以使觸點(diǎn)上的電壓降不致影響電路狀況的精度。

測(cè)量接觸電阻除用毫歐計(jì)外,也可用伏-安計(jì)法,安培-電位計(jì)法。

其次是絕緣電阻檢驗(yàn)

絕緣電阻是指在連接器的絕緣部分施加電壓，從而使絕緣部分的表面或內(nèi)部產(chǎn)生漏電流而呈現(xiàn)出的電阻值。即絕緣電阻(MΩ)=加在絕緣體上的電壓(V)/泄漏電流(μA)。通過(guò)絕緣電阻檢驗(yàn)確定連接器的絕緣性能能否符合電路設(shè)計(jì)的要求或經(jīng)受高溫、潮濕等環(huán)境應(yīng)力時(shí)，其絕緣電阻是否符合有關(guān)技術(shù)條件的規(guī)定。

絕緣電阻是設(shè)計(jì)高阻抗電路的限制因素。絕緣電阻低，意味著漏電流大，這將破壞電路的正常工作。例如形成反饋回路，過(guò)大的漏電流所產(chǎn)生的熱和直流電解，將使絕緣破壞或使連接器的電性能變劣。絕緣電阻主要受絕緣材料、溫度、濕度、污損、試驗(yàn)電壓及連續(xù)施加測(cè)試電壓的持續(xù)時(shí)間等因素影響。

介質(zhì)耐壓檢驗(yàn) 介質(zhì)耐壓檢驗(yàn)又稱(chēng)抗電強(qiáng)度檢驗(yàn)。它是在連接器接觸件與接觸件之間、接觸件與殼體之間，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)施加規(guī)定的電壓，以此來(lái)確定連接器在額定電壓下能否安全工作，能否耐受由于開(kāi)關(guān)浪涌及其它類(lèi)似現(xiàn)象所導(dǎo)致的過(guò)電位的能力，從而評(píng)定電連接器絕緣材料或絕緣間隙是否合適。

如果絕緣體內(nèi)有缺陷，則在施加試驗(yàn)電壓后，必然產(chǎn)生擊穿放電或損壞。擊穿放電表現(xiàn)為飛弧(表面放電)、火花放電(空氣放電)或擊穿(擊穿放電)現(xiàn)象。過(guò)大漏電流可能引起電參數(shù)或物理性能的改變。由于過(guò)電位，即使是在低于擊穿電壓時(shí)也可能有損于絕緣或降低其安全系數(shù)。所以應(yīng)當(dāng)慎重地進(jìn)行介質(zhì)耐壓檢驗(yàn)。在例行試驗(yàn)中如果需要連續(xù)施加試驗(yàn)電壓時(shí)，最好在進(jìn)行隨后的試驗(yàn)時(shí)降低電位。

其它電性能檢驗(yàn)包括外殼間電連續(xù)性、 多接觸件連接器屏蔽效果、射頻同軸連接器的電性能。下面著重說(shuō)一下射頻同軸連接器的電性能。

射頻同軸連接器除上述這些電性能指標(biāo)外，還有一些獨(dú)特的電性能指標(biāo);如特性阻抗、衰減、電壓駐波比和反射系數(shù)等。這些指標(biāo)是根據(jù)射頻傳輸理論，將射頻同軸連接器看作一段特殊的同軸線(xiàn)而規(guī)定的。在電纜實(shí)際應(yīng)用中特性阻抗非常重要，如果既不允許反射，能量損耗又必須減到最少，則阻抗必須仔細(xì)匹配，否則電纜或設(shè)備會(huì)由于過(guò)壓而損壞。特性阻抗可由同軸連接器外導(dǎo)體內(nèi)徑與內(nèi)導(dǎo)體外徑的比值和內(nèi)外導(dǎo)體之間絕緣體的介電常數(shù)進(jìn)行計(jì)算求出。同軸連接器標(biāo)準(zhǔn)的特性阻抗有50Ω和75Ω兩種，這是考慮射頻信號(hào)的最大功率傳輸和盡可能小的反射而綜合確定的。

對(duì)射頻同軸連接器最重要的性能要求是阻抗匹配和使用頻率范圍，而這都和外導(dǎo)體內(nèi)徑、內(nèi)導(dǎo)體外徑和絕緣體介電常數(shù)有關(guān)。若同軸連接器的特性阻抗與同軸電纜線(xiàn)不匹配，將會(huì)在失配處產(chǎn)生信號(hào)的反射，反射信號(hào)與入射信號(hào)疊加將產(chǎn)生駐波。電壓駐波比是駐比的最大振幅與最小振幅之比。反射系數(shù)是反射波電壓(電流)與同一點(diǎn)上的入射波電壓(電流)之比。衰減是由于阻抗不匹配在傳輸信號(hào)時(shí)發(fā)熱而產(chǎn)生的損耗。導(dǎo)體由于具有電阻，也是發(fā)熱的部分原因。在傳輸?shù)碗娖叫盘?hào)的電纜中，或效率是相當(dāng)重要性能的應(yīng)用場(chǎng)合，應(yīng)仔細(xì)考慮失配衰減。失配衰減是反射系數(shù)倒數(shù)絕對(duì)值的對(duì)數(shù)，用dB表示。由于它們描述的是同一物理現(xiàn)象。故彼此可以換算。為降低電纜的衰減，通常應(yīng)把電容減至最小，使用低的損耗系數(shù)的絕緣介質(zhì)和最高導(dǎo)電率的導(dǎo)體。但必須注意在直徑不變的同軸電纜中，雖較粗的導(dǎo)體會(huì)降低電阻損耗，但一般同時(shí)會(huì)使交流損耗增加。產(chǎn)生這種損耗增加的原因是由于導(dǎo)體之間電容耦合更緊密所致。在頻率較高時(shí)，損耗也增加。

讀完上文之后，您對(duì)于射頻同軸連接器檢驗(yàn)方法應(yīng)該了解得差不多了，如果您有其他更多關(guān)于射頻同軸連接器的問(wèn)題需要咨詢(xún)，可撥打連接器網(wǎng)客服熱線(xiàn)，我們會(huì)安排專(zhuān)業(yè)人員為您講解相關(guān)知識(shí)。同時(shí)，連接器網(wǎng)還提供各種射頻同軸連接器生產(chǎn)定制服務(wù)，質(zhì)量放心，價(jià)格合適，值得您的信賴(lài)。

本文來(lái)源：https://連接器網(wǎng)/article-290.html